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国家重点研发计划“超低功耗、高可靠和强实时微控制器芯片研发”项目实施方案论证会在南京召开

发布时间: 2019-09-09 15:01:45   作者:马晓辉   来源:本站编辑   浏览次数:


    823号,“光电子与微电子器件及集成”重点专项2018年立项项目“超低功耗、高可靠和强实时微控制器芯片研发”实施方案论证会在南京召开。项目牵头单位东南大学及参与单位领导,项目负责人和骨干成员,项目咨询专家,专项总体专家组责任专家以及专项办相关成员约30人参加了会议。
    东南大学副校长丁辉教授代表项目牵头单位表示,将严格落实项目管理制度,推进项目顺利实施,为十三五期间微电子领域项目全面启动带好头。专项办同志围绕重点专项相关过程管理要求,以“学习贯彻‘放管服’改革精神,强化落实项目主体责任”为主题,介绍了重点专项总体情况、过程管理规范和流程、实施方案编制要求、管理经验和项目实施中的常见问题等,要求各方高度重视、夯实责任,综合统筹资源,高标准完成项目目标。
    项目负责人东南大学杨军教授从项目概要、研究内容及课题分解、具体实施计划、组织管理机制、成果及测试方法等五个方面介绍了项目实施方案,特别围绕项目实施期间即将完成的两颗芯片,从十六个具体任务出发,针对技术途径、交付物、考核指标、主要参与人、时间节点等方面,进行了详细汇报。与会专家重点围绕低功耗技术的实现瓶颈、项目实施期间可能出现的技术风险、项目如何管理等方面展开讨论,并在技术路线、风险评估、项目组织管理和风险防控等方面提出了具体意见建议。
    本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术,包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度(PVT)偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术;面向工业控制微控制器关键技术,包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。

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